MOSFET讲解

当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的升高，Coss下降的是最快的，相对来说，Ciss稍微稳定一些。这也就是为什么过了平台区之后，管子不怎么震荡了，这也和上面这幅图表达的含义有关系的。

上面这幅图相对来说比较关键。它是MOSFET工作的一个安全区域。MOSFET选型的合适与否，就要看上面这幅图。之前说的参数其实是静态的，那么这副图的参数是动态的。

在这条线的左下方都是安全工作区域。横坐标是V_DS，纵坐标是I_D。假设V_DS是100V，对应的I_D电流大概是1.7A左右，在实际测试中，就按照这个表中的数据进行对比，观察是否在MOSFET的安全工作区域内。

当V_DS电压在100V时，如果测到的I_D电流在2.1A~6A这个区间，那么MOSFET只能承受10ms，越往上时间越短。只要在实线区域内，MOSFET都是安全的，不受时间的限制。