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MOSFET讲解(18)

鲁肃 发布于 2021-10-27 23:14
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MOSFET讲解

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Vds电压升高时,MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候,MOSFET寄生电容越来越大,尤其是Coss电容。那么,随着电压的升高,Coss下降的是最快的,相对来说,Ciss稍微稳定一些。这也就是为什么过了平台区之后,管子不怎么震荡了,这也和上面这幅图表达的含义有关系的。

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上面这幅图相对来说比较关键。它是MOSFET工作的一个安全区域。MOSFET选型的合适与否,就要看上面这幅图。之前说的参数其实是静态的,那么这副图的参数是动态的。

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在这条线的左下方都是安全工作区域。横坐标是VDS,纵坐标是ID。假设VDS100V,对应的ID电流大概是1.7A左右,在实际测试中,就按照这个表中的数据进行对比,观察是否在MOSFET的安全工作区域内。

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VDS电压在100V时,如果测到的ID电流在2.1A~6A这个区间,那么MOSFET只能承受10ms,越往上时间越短。只要在实线区域内,MOSFET都是安全的,不受时间的限制。


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