MOSFET讲解

接下来讨论低阈值管子的优势。那么，MOSFET的导通阈值低，它的好处就说对信号的幅值要求就小了。假设MOSFET的导通阈值是1V 或者2V，那么一个3.3V的单片机就可以搞定了。

那么，我们也知道，高阈值的管子开通的上升沿是很长的，从关断到完全开通需要t0-t4这个时间。那么低阈值MOSFET的好处就说，这个上升沿的时间变的更短。打个比方，假设高低阈值的两个管子，它的上升沿斜率都是一样的，那么，低阈值的管子，上升到开通阈值，花的时间就更短了，如下图所示，比如低阈值管子需要T1的时间，高阈值管子需要T2这么长时间。

所以，从开通时间这个角度来说，低阈值的管子，开关频率可以做到更高；高阈值的管子，开关频率可以做的更低。那么有的芯片把MOSFET做在内部，阈值做的很低，开关频率可以做得更高，也就是这个道理。

接下来讨论MOSFET的耐压问题。比如说一个100V耐压的管子，假设100V电压上有一个毛刺，毛刺的峰值可以达到120V，把这个电压加在MOSFET的漏极，MOSFET的漏极电压是不是就是120V呢？我们说，是不会到120V的，漏极电压依旧是100V。

MOSFET的漏极可以钳位超过它的耐压的电压。那么，如果用一个120V的直流持续加在MOSFET两端，这个MOSFET一定会热坏掉，会把MOSFET击穿。那么，一个120V的脉冲毛刺加在MOSFET两端，电压依旧是100V，但是管子会发热严重，也有可能会坏掉。所以，要合理的管子的耐压。对于低压管子，放30V的余量就够了；对于高压管子，放50V的余量就够了。这也要看MOSFET的标称耐压值是多少，综合考虑。

MOSFET 数据手册

12N50 这是一个高压MOSFET，12表示电流12A，50表示耐压500V。

这里大概说一下，有的人对着数据手册每个参数细节都要深扣，拼命的扣，这是一个好事，但问题是对于初学者来说，有没有必要在现阶段这么来做。就好比盖一栋大楼，有几种方式，打地基，搭框架，再搭隔层，再精装修，这种更科学更合理，我们学习也应该是这样子。现在最重要的是打基础，搭框架。还一种方式，就是基础一点一点的搭，搭了一点再搞精装修，然后接下去再往后不断地完善，这种方式肯定是耗时耗力，最终可能考虑不全，搭不好，人的精力是有限的，要在以后慢慢完善细节，这样才能学的透。那么，接下来简单的看一下数据手册。

我们看datasheet，它的电流并不是12A，实际上只能达到11.5A。Rdson=0.65Ω，那么，有的管子Rdson能到达50~60mΩ。实际上对于高压的管子来说，之所以能抗这么高的耐压，内部是很多个小MOSFET串联在一起的，所以电阻会有点大的。我们看一个管子，第一看耐压，其次看Id电流，第三看内阻Rdson，如果电流大 内阻小，那么这个管子也是偏贵的。如果低压的管子，电流大，内阻小，也是偏贵的。

那么这个管子650mΩ，性能不是特别的好，但是在有的场合也够用了，这也要根据具体的电路去合理的选型，只要够用就行。那么，我们也知道，一个MOSFET的Id电流和Rdson是有一个条件的，就说Vgs电压，达到这个Vgs阈值电压时，才能满足这个参数，所以在用这颗管子时，Vgs电压至少要高于10V才可以，那么这里可以用12V以上，对它的使用是没有多大影响的。

一般半导体器件都是和温度有关系的，所以，我们都默认在25℃环境温度下是这样子的参数性能。实际上随着环境温度的变化，这些参数都会发生变化，但是总要标一个静态值，供大家选型参考。

这个管子的V_GSS是±30V，但是也要知道，大部分的管子，它的V_GSS是±20V。在实际使用中，Vgs电压不能超过这个值，否则会损坏。

那么接下来看Id电流，它标了2个参数，一个是在25℃ ，一个是在100℃。那么在设计的时候，需要考虑这个温度因素，还要放一点余量。

I_DM=46A，表示短时间内可以抗这么大的电流。就好比一个人能短时间挑100斤的担子，如果长时间工作挑100斤，肯定是承受不了的。

Pd=165W，表示在25℃下，能达到这么大的功率。再看下面的1.33W/℃，表示环境温度每上升一度，功率减少1.33W。

dv/dt = 4.5 V/ns是体二极管的峰值反向恢复的电压。可以理解为它能承受的应力。也就是说，这个MOSFET不能关断的太快，如果关断太快，很高的dv/dt会把MOSFET给冲坏掉。

Eas = 460mJ，表示MOSFET所能承受的最高的峰值冲击能量，高于这个冲击能量，就会损坏。

那么，下面的温度-55℃~150℃，表示的是MOSFET在不通电情况下的存储温度。