MOSFET讲解

管子的开通对另一个管子产生影响，造成误导通。怎么解决这个问题呢？

从干扰的几个因素来考虑：

1、首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能太大。

2、地线的干扰影响

3、GS阻抗的影响

4、MOSFET本身的特性的影响

那么，从原理图设计方面讲，可以在GS阻抗上改善。

比如，当下管关闭，上管开通瞬间，会在下管的G端产生一个干扰，让G端的电位上升。我们可以让R4阻值变小，分到更多的电流，直到干扰的电位远低于4.5V导通阈值。但这也会带来一个问题，下管的开通期间会一直有一个较大电流流过R4，而这不是我们所希望的。这种情况在低压时，会好很多，但是高压就不好做了。

开关损耗

在每一次开关过程中，产生的开通损耗和关断损耗。

控制信号的载频越高，则开关损耗越大。

将平台时间尽可能地缩短，当然前提是GD波形尽可能的不发生震荡。

控制信号的幅值大小，也会影响到Rdson的阻值。

最好大于12V，至少大于8V。

体二极管的续流损耗

这里以三相逆变桥电路举例

通过上面的三相六个桥臂的导通时序，来控制右边电机绕组的导通相序。上管斩波，下管恒通的方式进行速度控制。比如在某一时刻，M1 M2导通，其它4个管子截止，那么导通回路如下图所示：

对于电机绕组来说，U相和W相导通，V相悬空。

ON期间（上桥）：M1斩波，M2恒通

源 ----  310V

回路 --- 经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

OFF期间（上桥）：M1斩波，M2恒通

电机的U V作为电感，是一个电流源，电流是不能激变的，并且要维持原来的电流方向不能突变。那么电流会经过M4的体二极管流过。

源：UW电感

回路：W --> M2 --> M4体二极管 --> 回到U端

电流源电感两端的压降被钳位在了0.7V---慢续流。慢续流的好处，因为电机一直有电流，所以平均输出功率就大。

续流期间是站在地上的。

ON期间（下桥）：M2斩波，M1恒通

源：310V

回路：经过M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

OFF期间（下桥）：M2斩波，M1恒通

源：UW电感

回路：W --> M5 --> M1 --> U

续流期间是站在310V上的。

这种单桥臂斩波的管子，哪个管子发热会大呢？