MOSFET讲解

我们希望米勒平台的时间短，但是往往容易出现震荡，反而发热更大。另一方面，如果米勒平台时间短，对于高压管子来说，开通时dv/dt大，所包含的谐波分量就大。

什么是谐波分量呢？任何一个波形都可以用若干个正弦波进行叠加，那么，我们MOSFET由于米勒平台时间短，dv/dt就很大，就表示开关波形的沿越陡，棱角越分明。一般我们所说的基波是一个标准的正弦波，dv/dt产生的开关波形，可以由这个基波和很多个高次谐波分量的正弦波叠加。如果沿越陡，谐波分量就越多；如果沿越缓，谐波分量就越少。谐波分量其实是一个辐射源，如果dv/dt越缓，那么谐波分量越少，EMC更加容易通过。

那么，高压管子的平台时间多少合适呢？高频载波的话，米勒平台时间在300ns~1us，那么1us可能发热会大一些，具体要看封装和Id电流的大小，如果最后测试下来，温度能接受，那也是可以的。那么如果MOSFET只用于电源上电和断电时的开关来用，那么这个平台时间长一点也没关系，毕竟是低频的。

对于低压管子来说，由于GS电容偏大，所以Igs电流要大，栅极电阻要更小，建议10R~100R。也就是说，虽然低压的管子GS电容大，但是栅极电阻小，米勒平台的时间也不会太长。

那么，低压管子的平台时间多少合适呢？可以更小一些，90ns~300ns。这些都是个人的一些看法，不代表权威性，要根据自己的项目各自评估。

那么关于高压管子和低压管子，具体的米勒平台的时间，还需要看Vgs波形是否震荡为准。

尤其在MOSFET用于上下桥互补斩波的时候，可能会出现一些问题。什么是上下桥互补斩波呢？

上面这幅图就是上下桥互补输出，意思就是上下管不能同时导通，否则就短路了。上管开通时，下管就要关闭；下管开通时，上管也要关闭，这就是互补输出的含义。

如果驱动上管的PWM信号是S1，驱动下管的PWM信号是S2。

那么S1为低，S2为高；S1为高，S2为低。同时，我们也知道，MOSFET的开通和关断都是有延时的，再加上刚刚说的MOSFET开通或关断出现震荡，那么，有可能出现上下互通的情况。一般我们避免这种情况发生，会加一个死区。

可以让开通延时，下降时间不变。这就是我们互补输出方式。

在GS波形正常情况下，上面这个电路是没有问题的。但是由于GD之间是有电容的。

假设我们的管子开通快，关断也快。另外，我们前面也讲到过，GD之间的米勒电容Cgd与漏极电压有关。那么接下来，讨论在死区期间，其中一个管子开通的一瞬间，对另一个管子GS波形的影响。

在死区期间，C4 和C7是如何分压的啊？M点实际上是分压了Vbus的一半是吧，这里M点在死区期间的电压是155V。

假设死区时间过后，上管先导通的瞬间，M点的电压从155V变成310V，有一个很高的dv/dt，而且瞬间会留下来一个很大的电流，那么理想情况下肯定是往负载那边流走，但事实上，会通过C5电容流到S2端，同时也会经过C6流到地。这是因为下管关闭，S2为0V，C6相当于短路，但更主要的电流还是流过C6。

那么，既然对C6电容进行充电，C6的电压就会往上升，就有可能导致达到下管的开通阈值电压，那么下管就会误导通。