MOSFET讲解

上面是一个正常情况下，电容两端电压的充电波形。但事实上，MOSFET除了在GS端存在电容之外，它还有GD电容，DS电容。那么，GD之间的电容，我们把它称之为米勒电容，实际上米勒电容有一个米勒效应的。

米勒效应，实际上是有一个固有的转移特性。在这个转移特性里面有什么关系呢？就是：栅极的电压Vgs和漏极的电流Id保持一个比例关系。

其实，对于MOSFET来说，有一个起始开通电压，叫做Vth。

当MOSFET达到起始开通电压Vth之后，Id就开始有电流了，但是这个时候，电流小，然后Vgs电压继续上升，Id也会继续上升，当上升到米勒效应的时候，就会发生固有转移特性。

我们知道了，当gs电容的电压达到Vth时，Id有电流的，就表示有通路，那么栅极的电压就有了另一条通路了。

也就是上面这幅图中紫色的这条通路。那么GS电容在达到Vth之后，会继续上升，当到达t2时刻时，Id电流就达到最大了，也可以说电流保持不变是吧。那么，既然漏极的电流保持不变，根据固有转移特性，是不是栅极电压也保持不变啊（固有转移特性：栅极电压Vgs和漏极电流Id保持一个比例关系）。

我们把栅极电压不变的这段区域叫做米勒平台区，而且MOSFET处于放大状态。那么会有人有疑问了，既然是达到放大状态，为什么电流能达到最大值呢？这和内阻分析法不是有矛盾吗？实际上是没有矛盾的。

我们用三极管来举例:

假设上面这个三极管处于饱和导通状态，放大倍数β=100，当be流过1mA电流时，Ic的电流是100mA。由于三极管处于饱和导通状态，那么C极的电位是0.3V的饱和压降，那么，根据上面这个电路图来看，如果忽略CE压降的话，根据欧姆定律：Ic=12V/100R=120mA。但实际上三极管所能达到的最大Ic电流是100mA。那么，我们来看看三极管饱和导通时的功耗问题。

饱和导通：

Ib=1mA，Ic=100mA

三极管功耗：

b极功耗：0.7V*1mA

c极功耗：0.3V*100mA

很明显，三极管在饱和导通时，功耗不大。那么，再来看一下三极管放大状态时的功耗。

由于三极管的射极电压跟随，输出电压是5V，而左边是12V（忽略100R压降），那么CE压差就是7V了。此时三极管处于放大导通状态，而三极管的be电流还是1mA。

放大导通：

Ib=1mA   Ic=100mA

三极管功耗：

b极功耗 0.7V*1mA

c极功耗 7V*100mA

根据上面的分析，三极管放大状态的功耗是饱和状态的23倍。三极管在放大导通状态下，C极电流是具有100mA的输出能力的。但是，一般情况下，我们都是降额使用，否则会发热损坏掉。所以，三极管工作在放大状态，就特别要考虑功耗问题。

我们再回到之前的MOSFET放大状态，对于MOSFET来说，它的Id电流其实是受后级负载决定的，不是工程师所能控制的。但是MOSFET在开通过程中，必须要经过这个放大区，只不过这个放大区功耗特别的大，所以就需要这个放大区的时间就要特别的短。MOSFET在这个区域特别危险，坏的最多。

三极管和MOSFET从关断到完全饱和导通的过程中，中间必然会经过放大区。为什么说三极管也是经过放大区呢？比如说，我们把三极管设计在饱和导通状态。我们说在理想情况下，三极管的输入信号是这样子的。

但是，这只是理想。事实上，由于受驱动能力的影响，都做不到90°上升。实际上数字器件也有一个斜率的问题，只不过有时间的长短。

严格的说，它的波形是一个梯形的，并不是一个方波。

假设驱动电压上升到一个很小的值，比如说0.7V附近的时候，虽然达到了三极管的开通阈值电压，但是回路中有一个电阻，电流就很小，小到什么程度呢？大概只有nA级，是一个上升的过程。1nA  10nA  1uA  100uA  500uA  1mA最后到饱和导通，但是中间必然经过放大区，但是这个放大区的时间极短。所以说三极管也不怎么容易坏。但是MOSFET它不是，它的时间比较长，所以就容易坏。