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鲁肃

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    MOSFET讲解(10)

    MOSFET讲解我们希望米勒平台的时间短,但是往往容易出现震荡,反而发热更大。另一方面,如果米勒平台时间短,对于高压管子来说,开通时dv/dt大,所包含的谐波分量就大。什么是谐波分量呢?任何一个波形都可以用...

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    MOSFET讲解(9)

    MOSFET讲解  我们上次讲了,怎么降低开关损耗:1、增大Igs电流:减小栅极电阻;栅极驱动的电流能力要大,充放电2个方向。2、提高Vgs驱动电压:±20V,±15V,±12V。  上面讲的方法,都可以把米勒平台...

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    MOSFET讲解(8)

    MOSFET讲解接下来我们讨论一下Igs电流。由于下拉电阻R2比栅极驱动电阻R3大很多,所以,接下来分析时忽略掉下拉电阻,这个时候就要看电容了。刚开始充电的是时候,电容的电压为0。所以,最开始的充电电流就是...

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    MOSFET讲解(7)

    MOSFET讲解接下来我们继续研究下面这幅图。在t2~t3期间:放大区在t3之后:饱和区当饱和之后,Rdson很小,分压下来,漏极电压就会很低。理论上Vds直线下降,但事实上是非线性的。在实际测试波形时,中间那一段...

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    MOSFET讲解(6)

    MOSFET讲解我们知道了三极管 MOS管在进入饱和导通之前,必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短,但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长,也会更容易损坏。上面是Vgs波形,接下来我们来看...

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鲁肃