电源
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MOSFET讲解（10）
MOSFET讲解我们希望米勒平台的时间短，但是往往容易出现震荡，反而发热更大。另一方面，如果米勒平台时间短，对于高压管子来说，开通时dv/dt大，所包含的谐波分量就大。什么是谐波分量呢？任何一个波形都可以用...
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MOSFET讲解（9）
MOSFET讲解 我们上次讲了，怎么降低开关损耗：1、增大Igs电流：减小栅极电阻；栅极驱动的电流能力要大，充放电2个方向。2、提高Vgs驱动电压：±20V，±15V，±12V。 上面讲的方法，都可以把米勒平台...
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MOSFET讲解（8）
MOSFET讲解接下来我们讨论一下Igs电流。由于下拉电阻R2比栅极驱动电阻R3大很多，所以，接下来分析时忽略掉下拉电阻，这个时候就要看电容了。刚开始充电的是时候，电容的电压为0。所以，最开始的充电电流就是...
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MOSFET讲解（7）
MOSFET讲解接下来我们继续研究下面这幅图。在t2~t3期间：放大区在t3之后：饱和区当饱和之后，Rdson很小，分压下来，漏极电压就会很低。理论上Vds直线下降，但事实上是非线性的。在实际测试波形时，中间那一段...
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MOSFET讲解（6）
MOSFET讲解我们知道了三极管 MOS管在进入饱和导通之前，必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长，也会更容易损坏。上面是Vgs波形，接下来我们来看...